A New Current-Mode Subthreshold, High-PSRR MOSFET-Only Bandgap Voltage Reference

带隙基准 电源抑制比 阈下传导 CMOS芯片 电气工程 MOSFET 双极结晶体管 材料科学 电压基准 光电子学 阈值电压 晶体管 电压 工程类 跌落电压 放大器
作者
Reza Papi,Fereidoon Hashemi Noshahr,Benoît Gosselin
标识
DOI:10.1109/newcas57931.2023.10198158
摘要

A new CMOS MOSFET-only bandgap voltage reference that operates at low voltage, provides low power, and is insensitive to temperature changes, is presented in this paper. To save chip area and simplify the design, the circuit is implemented with subthreshold MOSFETs instead of bulky Bipolar junction transistors (BJT). The circuit, designed using 130 nm CMOS technology, generates a voltage reference of 593 mV and a temperature coefficient of 7S ppm in the range of-2 $0^{\circ}\mathrm{C}$ to $90^{\circ}\mathrm{C}$, without trimmings. Post-layout simulation results show that the circuit achieves a high power supply rejection ratio (PSRR) of -87dB at low frequencies. The proposed circuit draws a current of 3.7 $\mu$A from a 1.2 V power supply.

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