Hybrid Schottky and Heterojunction Vertical β-Ga2O3 Rectifiers

材料科学 异质结 肖特基二极管 光电子学 肖特基势垒 工程物理 二极管 工程类
作者
Jian-Sian Li,Chiao-Ching Chiang,Hsiao-Hsuan Wan,Madani Labed,J. Park,You Seung Rim,Meng-Hsun Yu,F. Ren,Yu‐Te Liao,S. J. Pearton
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:12 (43): 17563-17573
标识
DOI:10.1039/d4tc03046j
摘要

Schematic of hybrid Schottky and Junction Barrier Schottky Ga 2 O 3 rectifiers. Breakdown voltage increased as the proportion of heterojunction area did, from 1.2 kV for Schottky rectifiers to 6.2 kV for pure heterojunction devices.
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