Low-field amorphous state resistance and threshold voltage drift in chalcogenide materials

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作者
A. Pirovano,Andrea L. Lacaita,F. Pellizzer,S. A. Kostylev,A. Benvenuti,R. Bez
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:51 (5): 714-719 被引量:354
标识
DOI:10.1109/ted.2004.825805
摘要

A detailed investigation of the time evolution for the low-field resistance R/sub off/ and the threshold voltage V/sub th/ in chalcogenide-based phase-change memory devices is presented. It is observed that both R/sub off/ and V/sub th/ increase and become stable with time and temperature, thus improving the cell readout window. Relying on a microscopic model, the drift of R/sub off/ and V/sub th/ is linked to the dynamic of the intrinsic traps typical of amorphous chalcogenides, thus providing for the first time a unified framework for the comprehension of chalcogenide materials transient behavior.
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