ALD growth of ZnO on p-Si and electrical characterization of ZnO/p-Si heterojunctions

材料科学 异质结 原子层沉积 饱和电流 饱和(图论) 图层(电子) 量子隧道 耗尽区 分析化学(期刊) 光电子学 纳米技术 电压 冶金 化学 物理 数学 量子力学 组合数学 色谱法
作者
Hogyoung Kim,Myeong Jun Jung,Seok Cheol Choi,Byung Joon Choi
出处
期刊:Materials today communications [Elsevier BV]
卷期号:25: 101265-101265 被引量:15
标识
DOI:10.1016/j.mtcomm.2020.101265
摘要

The growth of ZnO on p-Si by thermal atomic layer deposition (ALD) was carried out and the electrical properties of ZnO/p-Si heterojunctions were investigated. The ZnO surface became rougher with increasing the ZnO thickness from 9 to 19 nm. The current–voltage (I–V) characteristics showed the normal p-n junction behaviors for 9 nm thick ZnO whereas those became reversal for 19 nm thick ZnO. In the forward bias log(I)–log(V) plots, the wider linear region was observed for 9 nm thick ZnO. The analysis on the plots of reverse saturation current vs. 1/kT produced the activation energies of 0.11 and 0.42 eV for 9 and 19 nm thick ZnO, respectively, indicating that tunneling occurred through a single type of defects. According to X-ray reflectivity measurements, Zn deficient ZnO layer was formed near the ZnO/p-Si interface for 19 nm thick ZnO. These results suggest that the density of donor-type defects decreased for 19 nm thick ZnO.
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