Overcoming the Limits of the Interfacial Dzyaloshinskii–Moriya Interaction by Antiferromagnetic Order in Multiferroic Heterostructures

自旋电子学 反铁磁性 空中骑兵 凝聚态物理 材料科学 铁磁性 多铁性 异质结 拓扑(电路) 纳米技术 铁电性 物理 光电子学 数学 组合数学 电介质
作者
Han Wang,Yingying Dai,Zhongran Liu,Qidong Xie,Chao Liu,Weinan Lin,Liang Liu,Ping Yang,John Wang,T. Venkatesan,Gan Moog Chow,He Tian,Zhidong Zhang,Jingsheng Chen
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:32 (14) 被引量:39
标识
DOI:10.1002/adma.201904415
摘要

Abstract Topologically protected magnetic states have a variety of potential applications in future spintronics owing to their nanoscale size (<100 nm) and unique dynamics. These fascinating states, however, usually are located at the interfaces or surfaces of ultrathin systems due to the short interaction range of the Dzyaloshinskii–Moriya interaction (DMI). Here, magnetic topological states in a 40‐unit cells (16 nm) SrRuO 3 layer are successfully created via an interlayer exchange coupling mechanism and the interfacial DMI. By controlling the thickness of an antiferromagnetic and ferromagnetic layer, interfacial ionic polarization, as well as the transformation between ferromagnetic and magnetic topological states, can be modulated. Using micromagnetic simulations, the formation and stability of robust magnetic skyrmions in SrRuO 3 /BiFeO 3 heterostructures are elucidated. Magnetic skyrmions in thick multiferroic heterostructures are promising for the development of topological electronics as well as rendering a practical approach to extend the interfacial topological phenomena to bulk via antiferromagnetic order.
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