The Enhanced Performance of Oxide Thin-Film Transistors Fabricated by a Two-Step Deposition Pressure Process

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作者
Ming-Jie Zhao,Jiahao Yan,Yaotian Wang,Qizhen Chen,Rongjun Cao,Hua Xu,Dong‐Sing Wuu,Wan-Yu Wu,Feng‐Min Lai,Shui‐Yang Lien,Wen‐Zhang Zhu
出处
期刊:Nanomaterials [MDPI AG]
卷期号:14 (8): 690-690 被引量:2
标识
DOI:10.3390/nano14080690
摘要

It is usually difficult to realize high mobility together with a low threshold voltage and good stability for amorphous oxide thin-film transistors (TFTs). In addition, a low fabrication temperature is preferred in terms of enhancing compatibility with the back end of line of the device. In this study, α-IGZO TFTs were prepared by high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) at room temperature. The channel was prepared under a two-step deposition pressure process to modulate its electrical properties. X-ray photoelectron spectra revealed that the front-channel has a lower Ga content and a higher oxygen vacancy concentration than the back-channel. This process has the advantage of balancing high mobility and a low threshold voltage of the TFT when compared with a conventional homogeneous channel. It also has a simpler fabrication process than that of a dual active layer comprising heterogeneous materials. The HiPIMS process has the advantage of being a low temperature process for oxide TFTs.
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