Electrical switching of Ge2Sb2Te5 memory cells based on silicon photonic waveguide microheaters
材料科学
绝缘体上的硅
光电子学
光子学
硅
硅光子学
波导管
相变存储器
纳米技术
图层（电子）
作者
Wen Zhou,Xuan Li,Nathan Youngblood,Wolfram H. P. Pernice,C.D. Wright,Harish Bhaskaran
出处
期刊：Conference on Lasers and Electro-Optics日期：2022-01-01
标识
DOI：10.1364/cleo_si.2022.sf2n.5
摘要
We demonstrate binary and multilevel electrical programming of the phase change material Ge 2 Sb 2 Te 5 (GST) memory cells based on ion-implanted silicon-on-insulator (SOI) waveguide microheaters. GST cells can be reversibly switched by using low-amplitude electric pulses.
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