已入深夜,您辛苦了!由于当前在线用户较少,发布求助请尽量完整的填写文献信息,科研通机器人24小时在线,伴您度过漫漫科研夜!祝你早点完成任务,早点休息,好梦!

Growth and characterization of β-Ga2O3 thin films by molecular beam epitaxy for deep-UV photodetectors

分子束外延 薄膜 材料科学 蓝宝石 光电子学 基质(水族馆) 外延 带隙 X射线光电子能谱 分析化学(期刊) 光学 化学 纳米技术 图层(电子) 化学工程 工程类 地质学 物理 色谱法 激光器 海洋学
作者
Susmita Ghose,Shafiqur Rahman,Liang Hong,Juan Salvador Rojas-Ramírez,Hanbyul Jin,Kibog Park,Robert F. Klie,Ravi Droopad
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:122 (9) 被引量:141
标识
DOI:10.1063/1.4985855
摘要

The growth of high quality epitaxial beta-gallium oxide (β-Ga2O3) using a compound source by molecular beam epitaxy has been demonstrated on c-plane sapphire (Al2O3) substrates. The compound source provides oxidized gallium molecules in addition to oxygen when heated from an iridium crucible in a high temperature effusion cell enabling a lower heat of formation for the growth of Ga2O3, resulting in a more efficient growth process. This source also enabled the growth of crystalline β-Ga2O3 without the need for additional oxygen. The influence of the substrate temperatures on the crystal structure and quality, chemical bonding, surface morphology, and optical properties has been systematically evaluated by x-ray diffraction, scanning transmission electron microscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscopy, spectroscopic ellipsometry, and UV-vis spectroscopy. Under optimized growth conditions, all films exhibited pure 2¯01 oriented β-Ga2O3 thin films with six-fold rotational symmetry when grown on a sapphire substrate. The thin films demonstrated significant absorption in the deep-ultraviolet (UV) region with an optical bandgap around 5.0 eV and a refractive index of 1.9. A deep-UV photodetector fabricated on the high quality β-Ga2O3 thin film exhibits high resistance and small dark current (4.25 nA) with expected photoresponse for 254 nm UV light irradiation suggesting that the material grown using the compound source is a potential candidate for deep-ultraviolet photodetectors.
最长约 10秒,即可获得该文献文件

科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
更新
大幅提高文件上传限制,最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台,具备全网最快的应助速度,最高的求助完成率。 对每一个文献求助,科研通都将尽心尽力,给求助人一个满意的交代。
实时播报
想打就打007完成签到,获得积分10
刚刚
1秒前
儒雅寻菱完成签到,获得积分10
3秒前
5秒前
Doctor-C发布了新的文献求助10
6秒前
搞怪网络发布了新的文献求助20
7秒前
7秒前
7秒前
好好发布了新的文献求助10
7秒前
8秒前
灰色白面鸮完成签到,获得积分10
8秒前
nanananan发布了新的文献求助10
9秒前
啥也不会完成签到,获得积分10
11秒前
深情映冬发布了新的文献求助10
12秒前
沉静元瑶发布了新的文献求助10
14秒前
星星泡饭发布了新的文献求助10
15秒前
33完成签到,获得积分20
16秒前
JamesPei应助俞若枫采纳,获得30
17秒前
略略略爱完成签到 ,获得积分10
18秒前
xuli21315完成签到 ,获得积分10
19秒前
20秒前
窝恁蝶发布了新的文献求助10
21秒前
22秒前
打工人章鱼哥完成签到 ,获得积分10
24秒前
24秒前
26秒前
cuipanda发布了新的文献求助10
27秒前
28秒前
郴欧尼完成签到 ,获得积分10
31秒前
lyy66964193完成签到,获得积分10
31秒前
seven完成签到 ,获得积分10
31秒前
33秒前
36秒前
36秒前
纵横天下发布了新的文献求助10
36秒前
华仔应助窝恁蝶采纳,获得10
40秒前
圈圈完成签到,获得积分20
42秒前
香蕉觅云应助俞若枫采纳,获得10
46秒前
cuipanda完成签到,获得积分10
48秒前
48秒前
高分求助中
Earth System Geophysics 1000
Semiconductor Process Reliability in Practice 650
Studies on the inheritance of some characters in rice Oryza sativa L 600
Medicina di laboratorio. Logica e patologia clinica 600
《关于整治突出dupin问题的实施意见》(厅字〔2019〕52号) 500
Mathematics and Finite Element Discretizations of Incompressible Navier—Stokes Flows 500
Language injustice and social equity in EMI policies in China 500
热门求助领域 (近24小时)
化学 医学 生物 材料科学 工程类 有机化学 生物化学 物理 内科学 纳米技术 计算机科学 化学工程 复合材料 基因 遗传学 催化作用 物理化学 免疫学 量子力学 细胞生物学
热门帖子
关注 科研通微信公众号,转发送积分 3207538
求助须知:如何正确求助?哪些是违规求助? 2856919
关于积分的说明 8107713
捐赠科研通 2522443
什么是DOI,文献DOI怎么找? 1355610
科研通“疑难数据库(出版商)”最低求助积分说明 642234
邀请新用户注册赠送积分活动 613522