Reducing Emission Linewidth of Pure‐Blue ZnSeTe Quantum Dots through Shell Engineering toward High Color Purity Light‐Emitting Diodes

激光线宽 量子点 光电子学 材料科学 发光二极管 二极管 青色 电致发光 光学 纳米技术 图层(电子) 激光器 物理
作者
Yuhe Bi,Sheng Cao,Peng Yu,Zhentao Du,Yunjun Wang,Jinju Zheng,Bingsuo Zou,Jialong Zhao
出处
期刊:Small [Wiley]
卷期号:19 (45): e2303247-e2303247 被引量:59
标识
DOI:10.1002/smll.202303247
摘要

Abstract High color purity blue quantum dot light‐emitting diodes (QLEDs) have great potential applications in the field of ultra‐high‐definition display. However, the realization of eco‐friendly pure‐blue QLEDs with a narrow emission linewidth for high color purity remains a significant challenge. Herein, a strategy for fabricating high color purity and efficient pure‐blue QLEDs based on ZnSeTe/ZnSe/ZnS quantum dots (QDs) is presented. It is found that by finely controlling the internal ZnSe shell thickness of the QDs, the emission linewidth can be narrowed by reducing the exciton‐longitudinal optical phonon coupling and trap states in the QDs. Additionally, the regulation of the QD shell thickness can suppress the Förster energy transfer between QDs in the QLED emission layer, which will help to reduce the emission linewidth of the device. As a result, the fabricated pure‐blue (452 nm) ZnSeTe QLED with ultra‐narrow electroluminescence linewidth (22 nm) exhibit high color purity with the Commission Internationale de l'Eclairage chromatic coordinates of (0.148, 0.042) and considerable external quantum efficiency (18%). This work provides a demonstration of the preparation of pure‐blue eco‐friendly QLEDs with both high color purity and efficiency, and it is believed that it will accelerate the application process of eco‐friendly QLEDs in ultra‐high‐definition displays.
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