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Defect Chemistry of Donor‐Doped and Undoped Strontium Titanate Ceramics between 1000° and 1400°C

钛酸锶 兴奋剂 陶瓷 接受者 电阻率和电导率 塞贝克系数 矿物学 钛酸酯 分析化学(期刊) 化学 分压 材料科学 氧气 凝聚态物理 纳米技术 薄膜 物理 冶金 光电子学 有机化学 量子力学 色谱法
作者
Ralf Moos,Karl Heinz Härdtl
出处
期刊:Journal of the American Ceramic Society [Wiley]
卷期号:80 (10): 2549-2562 被引量:515
标识
DOI:10.1111/j.1151-2916.1997.tb03157.x
摘要

The electrical conductivity, sigma, of donor‐doped and undoped strontium titanate (SrTiO 3 ) ceramics and, in some cases, single crystals, Sr1‐xLaxTiO 3 (0 ≤ to x ≤ 0.1), was investigated in the temperature range of 1000°‐1400°C under oxygen partial pressures, PO 2 , of 10 ‐20 ‐1 bar. In conjunction with Hall data and thermopower data from related papers, a set of constants for a defect‐chemical model was determined, precisely describing point‐defect concentrations and transport properties of these materials. In contrast to former works, temperature‐dependent transport parameters and their non‐negligible influence on the determination of the constants was considered, as well as the equilibrium restoration phenomena of the cation sublattice, which can be studied only at such high temperatures. It was shown that defects in the cation sublattice completely govern the electrical behavior of donor‐doped and undoped SrTiO 3 . In the latter case, frozen‐in strontium vacancies act as intrinsic acceptors, determining the sigma(PO 2 ) curves at lower temperatures. This intrinsic acceptor concentration also can be calculated with this model. The very good agreement between calculation and measurement is shown in many examples.
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