One-Dimensional Excitonic Insulator of M6Te6 (M = Mo, W) Atomic Wires

激子 范德瓦尔斯力 凝聚态物理 半导体 比克西顿 库仑 电介质 带隙 不稳定性 物理 材料科学 原子物理学 电子 量子力学 分子
作者
Yanyan Zhao,Hongwei Qu,Jijun Zhao,Lixing Kang,Si Zhou
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.4c05448
摘要

Coulomb attraction with weak screening can trigger spontaneous exciton formation and condensation, resulting in a strongly correlated many-body ground state, namely, the excitonic insulator. One-dimensional (1D) materials natively have ineffective dielectric screening. For the first time, we demonstrate the excitonic instability of single atomic wires of transition metal telluride M6Te6 (M = Mo, W), a family of 1D van der Waals (vdW) materials accessible in the laboratory. The many-body GW and Bethe-Salpeter equation scheme shows giant exciton binding energies up to 1.6 eV for these narrow-gap semiconductors, much exceeding their single-particle band gaps and implying a robust thermal-equilibrium exciton Bose–Einstein condensation with high critical temperatures. The excitonic instability of these single atomic wires is attributed to their small dielectric constant, same parity and ultraflat dispersion for the band edge states. Our work shed light in exploiting the strong excitonic effects in 1D vdW materials to realize macroscopic quantum phenomena.

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