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Anisotropic Electronic Structure of the Two-Dimensional Electron Gas at the AlOx/KTaO3(110) interface

凝聚态物理 各向异性 费米面 费米气体 电子结构 费米能级 电子 电子能带结构 超导电性 光电发射光谱学 Crystal(编程语言) 角分辨光电子能谱 材料科学 物理 X射线光电子能谱 光学 量子力学 核磁共振 程序设计语言 计算机科学
作者
E. A. Martínez,J. Dai,M. Tallarida,N. M. Nemes,F. Y. Bruno
出处
期刊:Cornell University - arXiv 被引量:1
标识
DOI:10.48550/arxiv.2304.14805
摘要

Oxide-based two-dimensional electron gases (2DEGs) have generated significant interest due to their potential for discovering novel physical properties. Among these, 2DEGs formed in KTaO3 stand out due to the recently discovered crystal face-dependent superconductivity and large Rashba splitting, both of which hold potential for future oxide electronics devices. In this work, angle-resolved photoemission spectroscopy is used to study the electronic structure of the 2DEG formed at the (110) surface of KTaO3 after deposition of a thin Al layer. Our experiments revealed a remarkable anisotropy in the orbital character of the electron-like dispersive bands, which form a Fermi surface consisting of two elliptical contours with their major axes perpendicular to each other. The measured electronic structure is used to constrain the modeling parameters of self-consistent tight-binding slab calculations of the band structure. In these calculations, an anisotropic Rashba splitting is found with a value as large as 4 meV at the Fermi level along the [-110] crystallographic direction. This large unconventional and anisotropic Rashba splitting is rationalized based on the orbital angular momentum formulation. These findings provide insights into the interpretation of spin-orbitronics experiments and help to constrain models for superconductivity in the KTO(110)-2DEG system.

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