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作者
Jonghoon Shin,Haengha Seo,Kun Hee Ye,Yoon Ho Jang,Dae Seon Kwon,Junil Lim,Tae Kyun Kim,Heewon Paik,Haewon Song,Ha Ni Kim,Seungyong Byun,Seong Jae Shin,Kyung Do Kim,Yong Bin Lee,In Soo Lee,Jung‐Hae Choi,Cheol Seong Hwang
摘要
This study investigates the insertion traits of the Al 2 O 3 and Y 2 O 3 insertion layers (ILs) and their effects on the phase evolution and electrical characteristics of polycrystalline Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 (HZO) thin films grown by atomic layer deposition (ALD).
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