Realization of Extremely High-Gain and Low-Power in nMOS Inverter Based on Monolayer WS2 Transistor Operating in Subthreshold Regime

NMOS逻辑 材料科学 光电子学 单层 阈下传导 晶体管 逆变器 跨导 电气工程 纳米技术 电压 工程类
作者
Eunyeong Yang,Sekwon Hong,Jiwon Ma,Sang‐Joon Park,Dae Kyu Lee,Tanmoy Das,Tae‐Jun Ha,Joon Young Kwak,Jiwon Chang
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:18 (34): 22965-22977
标识
DOI:10.1021/acsnano.4c04316
摘要

In this work, we report an n-type metal-oxide-semiconductor (nMOS) inverter using chemical vapor deposition (CVD)-grown monolayer WS
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