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Ruggedness of Silicon Power MOSFETs–Part II: Device Design Failures and Modeling: A Review

背景(考古学) 功率半导体器件 功率(物理) 功率MOSFET 工作(物理) 电气工程 MOSFET 电子工程 计算机科学 可靠性工程 工程类 机械工程 物理 晶体管 电压 生物 古生物学 量子力学
作者
R. Tambone,Alessandro Ferrara,Ralf Siemieniec,A.C.G. Wood,Filippo Magrini,R.J.E. Hueting
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (6): 3458-3469 被引量:1
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3394463
摘要

Power MOSFETs are crucial devices in a multitude of everyday applications that require an extended lifetime. Inadequate design of these devices may cause premature failures. In this work, the impact of the device design of power MOSFETs has extensively been reviewed. Furthermore, as, in this context, modeling and simulation are crucial, several proposed models used to analyze the device ruggedness are discussed. Finally, similar to Part I of this article, work guidelines to prevent failure are provided.
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