Two-Dimensional Cs2AgBiBr6/WS2 Heterostructure-Based Photodetector with Boosted Detectivity via Interfacial Engineering

光电探测器 材料科学 光电子学 异质结 光电流 石墨烯 单层 光致发光 吸收(声学) 载流子 光电导性 比探测率 纳米技术 暗电流 复合材料
作者
Feier Fang,Yi Wan,Henan Li,Shaofan Fang,Fu Qiang Huang,Bo Zhou,Ke Jiang,Vincent Tung,Lain‐Jong Li,Yumeng Shi
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:16 (3): 3985-3993 被引量:66
标识
DOI:10.1021/acsnano.1c09513
摘要

Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenide (TMDC) monolayers have been widely used for optoelectronic devices because of their ultrasensitivity to light detection acquired from their direct gap properties. However, the small cross-section of photon absorption in the atomically thin layer thickness significantly limits the generation of photocarriers, restricting their performance. Here, we integrate monolayer WS2 with 2D perovskites Cs2AgBiBr6, which serve as the light absorption layer, to greatly enhance the photosensitivity of WS2. The efficient charge transfer at the Cs2AgBiBr6/WS2 heterojunction is evidenced by the shortened photoluminescence (PL) decay time of Cs2AgBiBr6. Scanning photocurrent microscopy of Cs2AgBiBr6/WS2/graphene reveals that improved charge extraction from graphene leads to an enhanced photoresponse. The 2D Cs2AgBiBr6/WS2/graphene vertical heterostructure photodetector exhibits a high detectivity (D*) of 1.5 × 1013 Jones with a fast response time of 52.3 μs/53.6 μs and an on/off ratio of 1.02 × 104. It is worth noting that this 2D heterostructure photodetector can realize self-powered light detection behavior with an open-circuit voltage of ∼0.75 V. The results suggest that the 2D perovskites can effectively improve the TMDC layer-based photodetectors for low-power consumption photoelectrical applications.
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