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Identification of passive layer in ferroelectric thin films from their switching parameters

电介质 铁电性 材料科学 矫顽力 磁滞 极化(电化学) 图层(电子) 复合材料 凝聚态物理 光学 光电子学 化学 物理 物理化学
作者
A. K. Tagantsev,M. Landivar,Enrico Colla,N. Setter
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:78 (4): 2623-2630 被引量:248
标识
DOI:10.1063/1.360122
摘要

The switching of the sandwich structure ‘‘ferroelectric+thin dielectric layer’’ is theoretically studied. The behavior of the remanent polarization, Pr, coercive field, Ec, maximal polarization on the loop, Ps, and the slope of the hysteresis loop at Ec as a function of both, the relative thickness of the layer (the thickness of the dielectric divided by the thickness of the ferroelectric) and the amplitude of the measuring field, is analyzed. It is shown that the effect of the layer on Pr and the slope at Ec is qualitatively different from that on Ec and Ps. As the result of this analysis the set of characteristic features of the sandwich with the variable relative thickness of the dielectric layer have been have formulated. These characteristic features can be used for the identification of the presence of such a dielectric layer using the data on the switching parameters of the system. It is shown that the increase of the coercive field with increasing relative thickness of the dielectric layer, which was considered as an important sign of the presence of the dielectric layer, is not a real property of the sandwich structure but rather an artifact of the approximations which were used in the analysis performed by the previous workers. In fact, Ec is a decreasing function of the relative thickness of the dielectric layer.
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