Atomic Layer Deposition of Al2O3 Thin Films for Metal Insulator Semiconductor Applications on 4H-SiC

材料科学 原子层沉积 电介质 光电子学 绝缘体(电) 堆栈(抽象数据类型) 高-κ电介质 薄膜 电容 图层(电子) 半导体
作者
Emanuela Schilirò,Salvatore Di Franco,Patrick Fiorenza,Corrado Bongiorno,Hassan Gargouri,Mario Saggio,Raffaella Lo Nigro,Fabrizio Roccaforte
出处
期刊:Materials Science Forum 卷期号:858: 685-688 被引量:2
标识
DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.858.685
摘要

This work reports on the growth and characterization of Al2O3 films on 4H-SiC, by Plasma Enhanced-Atomic Layer Deposition (PE-ALD). Different techniques were used to investigate the morphological, structural and electrical features of the Al2O3 films, both with and without the presence of a thin SiO2 layer, thermally grown on the 4H-SiC before ALD. Capacitance-voltage measurements on MOS structures resulted in a higher dielectric constant (e~8.4) for the Al2O3/SiO2/SiC stack, with respect to that of the Al2O3/SiC sample (e~ 6.7). Moreover, Current density-Electric Field measurements demonstrated a reduction of the leakage current and an improvement of the breakdown behaviour in the presence of the interfacial thermally grown SiO2. Basing on these preliminary results, possible applications of ALD-Al2O3 as gate insulator in 4H-SiC MOSFETs can be envisaged.
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