Low-cost deposition of tunable band gap Zn(O,S) as electron transport layer for crystalline silicon heterojunction solar cells

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作者
Zhongqing Zhang,Honghua Zhang,Junfeng Zhao,Yunfeng Liu,Shengpeng Xie,Anjun Han,Liping Zhang,Zhengxin Liu,Wei Liu
出处
期刊:Solar Energy Materials and Solar Cells [Elsevier BV]
卷期号:277: 113119-113119 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.solmat.2024.113119
摘要

In recent years, the research on silicon heterojunction (HJT) solar cells based on dopant-free contacts has experienced rapid development. Zn(O,S) is a low work function n-type semiconductor compound with tunable band gap that can be used as the electron transport layer (ETL) in HJT solar cells. In our work, we choose Zn(O,S) as ETL and deposit it via the low-cost chemical bath deposition (CBD) method. Uniform and fast growth of Zn(O,S) films can be obtained by regulating the concentration of the complexing agent and the ratio of reactants to reduce the generation of impurities. To further achieve band matching with c-Si, the Zn(O,S) films are processed with air-annealing to modify the elemental ratios. The air-annealing lowers the interfacial electron transport barrier, which promotes charge separation and transport, thus reducing carrier recombination at the interface. Finally, the PCE of HJT solar cell based on CBD-Zn(O,S) ETL is close to 15 %, providing a new potential route for the development of low-cost HJT solar cells.
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