Near-infrared electroluminescence and self-powered photodetector based on graphene/layered γ-InSe Schottky junction

电致发光 光电探测器 石墨烯 光电子学 材料科学 红外线的 肖特基势垒 肖特基二极管 纳米技术 光学 二极管 物理 图层(电子)
作者
Liaoxin Sun,Anping Ge,Qixiao Zhao,Wenji Jing,Dongjie Zhou,Lei Ma,Yanlin Huan,Haoyang Tian,Hui Xia,Yi Yao,Jinshui Miao,Xuechu Shen,Wei Lü
标识
DOI:10.1364/opticaopen.27208773
摘要

The multifunctional integrated on-chip near-infrared (NIR) light source and detection devices based on vdW layered materials are increasingly sought after due to their broad applications, including optoelectronic communication, computing, and sensing. Most of luminescence or detection devices based on vdW layered materials are demonstrated to have only a single function due to the limitation of material properties. Here, we demonstrated a multifunctional integrated on-chip NIR electroluminescence (EL) and self-powered photodetector (SPPD) device constructed by stacking few-layer graphene (Gr) and layered γ-InSe to form asymmetric Gr/γ-InSe/Gr heterostructure. Room temperature electrically driven NIR from γ-InSe was successfully achieved by the high quality Schottky junction (rectification ratio up to "5×" 〖"10" 〗^"3" ), with a turn-on voltage of ~ 1.4 V. The γ-InSe EL maintained over 90 % initial EL intensity after two hours continuous operation in air. Meanwhile, the Gr/γ-InSe/Gr SPPD exhibits a broad spectrum photoresponse (405-940nm), low specific noise current (8.7"×" 10-26 A2/Hz), high specific detectivity (~ 108 Jones @ 405 nm) and high-quality reflective imaging. Our results establish a simple preparation and tunable vdW layered material multifunctional integrated NIR EL and SPPD device, indicating the promise of γ-InSe for on-chip integrated optoelectronic devices.
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