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Tunable electrical contact properties in two-dimensional van der Waals V2C/MoSi2N4 heterostructures

异质结 肖特基势垒 电场 范德瓦尔斯力 材料科学 凝聚态物理 电子结构 相变 光电子学 化学 物理 分子 量子力学 二极管 有机化学
作者
Xiangjiu Zhu,H. X. Jiang,Yukai Zhang,Dandan Wang,Lihua Yang,Lin Fan,Yanli Chen,Xin Qu,Yang Liu
出处
期刊:Journal of Physics: Condensed Matter [IOP Publishing]
卷期号:35 (44): 445501-445501 被引量:2
标识
DOI:10.1088/1361-648x/ace86f
摘要

Two-dimensional MoSi2N4is a member of the emerging 2D MA2N4family, which has been synthesized in experiments, recently. Herein, we conduct a first-principles investigation to study more about the atomic and electronic structures of V2C/MoSi2N4(1T-phase) van der Waals heterostructures (vdWHs) and interlayer distance and an external perpendicular electric field change their tunable electronic structures. We demonstrate that the V2C/MoSi2N4vdWHs contact forms n-type Schottky contact with an ultralow Schottky barrier height of 0.17 eV, which is beneficial to enhance the charge injection efficiency. In addition, the electronic structure and interfacial properties of V2C/MoSi2N4vdWHs can be transformed from n-type to p-type ShC through the effect of layer spacing and electric field. At the same time, the transition from ShC to OhC can also occur by relying on the electric field and different interlayer spacing. Our findings could give a novel approach for developing optoelectronic applications based on V2C/MoSi2N4vdW heterostructures.
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