Electrochromic Properties of Graphene Doped Nb2O5 Thin Film

材料科学 石墨烯 电致变色 掺杂剂 兴奋剂 拉曼光谱 基质(水族馆) 光电子学 薄膜 图层(电子) 纳米技术 化学工程 电致变色装置 光学 电极 物理化学 工程类 化学 地质学 物理 海洋学
作者
Nihan Akkurt,Şuat Pat,Reza Mohammadigharehbagh,Ali Olkun,Şadan Korkmaz
出处
期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology [The Electrochemical Society]
卷期号:9 (12): 125004-125004 被引量:11
标识
DOI:10.1149/2162-8777/abd079
摘要

Electrochromic device plays a key role in energy efficiency management and modern display technology. As a cathodic coloration material, Nb 2 O 5 is one of the important material used in the electrochromic device. The capacity of a layer is related with the intercalation and deintercalation behavior. Graphene Doping is a promising process for the high-capacity ion storage application. Graphene is a two-dimensional material and it possesses excellent mechanical and electrical properties. In this paper, graphene doped Nb 2 O 5 thin films have been deposited onto ITO coated glass substrate by a thermionic vacuum arc (TVA) technique. The coloring efficiency has been calculated as 91 and 56 cm 2 C −1 at 414 and 550 nm, respectively. The transmittance variation of graphene doped Nb 2 O 5 layer have determined as 42%. According to the Raman spectroscopy, the peaks for orthorhombic phase of Nb 2 O 5 and graphene bands have been observed. According to obtained results, graphene is a promising dopant material for the high performance electrochromic device with Nb 2 O 5 active layer.
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