Characteristics of electrically-induced phase transition in tungsten-doped vanadium dioxide film

采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法，在掺氟SnO2（FTO）导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO2薄膜，对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试，分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明，室温下掺钨VO2薄膜的阈值电压为4.2 V，观察到阈值电压下约有两个数量级的电流突变.随着温度升高，相变的阈值电压降低，且电流突变幅度减小.当施加8 V电压时，分别在不同温度下测试了掺钨VO2薄膜的透过率.温度为20和50℃时，掺钨VO2薄膜相变前后的红外透过率差量分别为23%和27%.与未掺杂的VO2薄膜相比，掺钨VO2薄膜具有相变温度低、阈值电压低和电阻率小的特点，在高速光电器件中有广阔的应用前景.