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出处
期刊:Vacuum
[Elsevier]
日期:1985-02-01
卷期号:35 (2): 67-73
被引量:25
标识
DOI:10.1016/0042-207x(85)90016-8
摘要
The paper reviews chemical vapour deposition (CVD) processes suitable for applying metal interconnection layers to semiconductor integrated circuits. The conditions under which uniform, smooth films can be grown are discussed. The principal metals reviewed and its alloys; refractory metals and silicides; and platinum and PtSi. The review concentrates on the period 1966–1983.
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