Unidirectional Growth of Microbumps on (111)-Oriented and Nanotwinned Copper

柯肯德尔效应 金属间化合物 电镀 焊接 材料科学 微观结构 空位缺陷 冶金 光电子学 复合材料 纳米技术 图层(电子) 结晶学 合金 化学
作者
Hsiang‐Yao Hsiao,Chien-Min Liu,Han-Wen Lin,Tao-Chi Liu,Chia-Ling Lu,Yi-Sa Huang,Chih Chen,K. N. Tu
出处
期刊:Science [American Association for the Advancement of Science]
卷期号:336 (6084): 1007-1010 被引量:325
标识
DOI:10.1126/science.1216511
摘要

Tiny Tinny Bumps One challenge in moving to three-dimensional integrated circuit architectures is the need for aligned interconnects to join neighboring layers. Hsiao et al. (p. 1007 ) applied rapid stirring to the direct current electroplating of copper to produce films with oriented copper grains that have a high density of nanotwin defects. The resulting material was an excellent platform for the growth of copper-tin intermetallic compounds in the form of arrays of microbumps potentially suitable for the soldering of electronic components.
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