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作者
Han Ju Lee,Seonjeong Lee,Keun Hyung Lee,Kihyon Hong
摘要
Amorphous p-type copper iodide (a-CuI) semiconductor and corresponding p-channel vertical TFTs are demonstrated. The a-CuI-TFTs exhibit excellent device performance, high current density of 1400 mA cm −2 and normalized transconductance of 6.46 S m −1 .
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