45nm CMOS technology with low temperature selective epitaxy of SiGe

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作者
Naoyoshi Tamura,Y. Shimamune
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier BV]
卷期号:254 (19): 6067-6071 被引量:33
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2008.02.162

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