Grain-orientation-engineered multilayer ceramic capacitors for energy storage applications

电容器 材料科学 电介质 陶瓷 储能 介电强度 陶瓷电容器 电场 复合材料 光电子学 电气工程 工程类 电压 量子力学 物理 功率(物理)
作者
Jinglei Li,Zhonghui Shen,Xianghua Chen,Shuai Yang,Wenlong Zhou,Mingwen Wang,Linghang Wang,Qiangwei Kou,Yingchun Liu,Qun Li,Zhuo Xu,Yunfei Chang,Shujun Zhang,Fei Li
出处
期刊:Nature Materials [Springer Nature]
卷期号:19 (9): 999-1005 被引量:467
标识
DOI:10.1038/s41563-020-0704-x
摘要

Dielectric ceramics are highly desired for electronic systems owing to their fast discharge speed and excellent fatigue resistance. However, the low energy density resulting from the low breakdown electric field leads to inferior volumetric efficiency, which is the main challenge for practical applications of dielectric ceramics. Here, we propose a strategy to increase the breakdown electric field and thus enhance the energy storage density of polycrystalline ceramics by controlling grain orientation. We fabricated high-quality -textured Na0.5Bi0.5TiO3–Sr0.7Bi0.2TiO3 (NBT-SBT) ceramics, in which the strain induced by the electric field is substantially lowered, leading to a reduced failure probability and improved Weibull breakdown strength, on the order of 103 MV m−1, an ~65% enhancement compared to their randomly oriented counterparts. The recoverable energy density of -textured NBT-SBT multilayer ceramics is up to 21.5 J cm−3, outperforming state-of-the-art dielectric ceramics. The present research offers a route for designing dielectric ceramics with enhanced breakdown strength, which is expected to benefit a wide range of applications of dielectric ceramics for which high breakdown strength is required, such as high-voltage capacitors and electrocaloric solid-state cooling devices. The energy density of dielectric ceramic capacitors is limited by low breakdown fields. Here, by considering the anisotropy of electrostriction in perovskites, it is shown that -textured Na0.5Bi0.5TiO3–Sr0.7Bi0.2TiO3 ceramics can sustain higher electrical fields and achieve an energy density of 21.5 J cm−3.
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