Ultrahigh Photoresponsivity of W/Graphene/β-Ga2O3 Schottky Barrier Deep Ultraviolet Photodiodes

响应度 紫外线 光电二极管 石墨烯 材料科学 肖特基势垒 光电子学 肖特基二极管 费米能级 单层 纳米技术 光电探测器 二极管 物理 电子 量子力学
作者
Madani Labed,Bo‐In Park,Jekyung Kim,J. Park,Ji Young Min,Hee Jae Hwang,Jeehwan Kim,You Seung Rim
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:18 (8): 6558-6569 被引量:9
标识
DOI:10.1021/acsnano.3c12415
摘要

The integration of graphene with semiconductor materials has been studied for developing advanced electronic and optoelectronic devices. Here, we propose ultrahigh photoresponsivity of β-Ga
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