材料科学
制作
记忆电阻器
薄膜
光电子学
纳米技术
工程物理
电气工程
医学
替代医学
病理
工程类
作者
Subarna Pramanik,Rajarshi Chakraborty,Sobhan Hazra,Utkarsh Pandey,Bhola N. Pal
摘要
A solution processed Ag-ion-exchanged Li 5 AlO 4 thin film has been used to fabricate a high performance oxide memristor device with enhanced bistable switching and memory retention.
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