Facet-dependent electrical conductivity properties of a 4H-SiC wafer

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作者
Gautam Kumar,Jingwei Chen,Hsueh‐Heng Ma,Xing-Fu Huang,Michael H. Huang
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:10 (28): 10424-10428 被引量:12
标识
DOI:10.1039/d2tc01981g
摘要

Electrical conductivity of a 4H-SiC wafer is facet-dependent with its {0001} face being much more conductive than its {101̄0} face, and it presents a perfect current rectification effect.
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