Anti-Ferroelectric ZrO$_{\text{2}}$ Capacitors With Ultralow Operating Voltage ($<$1.2 V) and Improved Endurance Toward Logic Compatible eDRAM

电容器 材料科学 铁电性 电压 电气工程 铁电电容器 逻辑门 光电子学 电子工程 工程类 电介质
作者
Jiacheng Xu,Minglei Ma,Ruijie Shen,Haoji Qian,Gaobo Lin,Jiani Gu,Xinda Song,Haibo Liu,Yan Liu,Jiajia Chen,Chengji Jin,Genquan Han
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-4
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3429289

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