A 2.3nW Gate-Leakage Based Sub-Bandgap Voltage Reference with Line Sensitivity of 0.0066%/V from −40°C to 150°C for Low-Power IoT Systems

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作者
Arnab Dey,B. Subramaniam,Amin Ahsan Ali,Bhartipudi Sahishnavi,Abhishek Pullela,Zia Abbas
标识
DOI:10.1109/iscas46773.2023.10182117
摘要

The paper presents a novel nW range gate-leakage-based Sub-Bandgap Voltage Reference (sub-BGR) for low-power and high-temperature range IoT applications. It generates a reference voltage of 336mV without incorporating any resistors and operating for a high-temperature range of −40°C to 150°C and a supply range of 0.7V-4V. In the above temperature and supply ranges, the proposed circuit's power consumption only goes up by 30x and 1.025x times, respectively. Designed in a 65nm CMOS process, the proposed architecture achieves an accuracy of 94ppm/°C. It achieves a line sensitivity of 0.0066%/V for a supply range of 0.7V to 4V and a PSRR of 89dB at DC and 1V supply. The proposed circuit shows $\mathrm{a}\pm 3\sigma$ -inaccuracy of 4.295% without additional trimming circuits. It occupies only 0.0851mm2 area while consuming only 2.3nW at 27°C and 21.74nW at 150°C for a 0.7V supply.
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