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作者
K. C. Sekhar,Ji S. Kim,Markus Hellenbrand,L. Marques,Judith L. MacManus‐Driscoll,José Silva
出处
期刊:Materials horizons
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2024-01-01
卷期号:11 (10): 2355-2371
被引量:2
摘要
Ferroelectric memory devices such as ferroelectric memristors, ferroelectric tunnel junctions, and field-effect transistors are considered among the most promising candidates for neuromorphic computing devices.
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