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Photon‐Induced Reversible Phase Transition in CsPbBr3 Perovskite

材料科学 钙钛矿(结构) 光电子学 带隙 四方晶系 正交晶系 相变 拉曼光谱 密度泛函理论 相(物质) 凝聚态物理 光学 衍射 物理 结晶学 化学 量子力学
作者
Jie Xue,Dandan Yang,Bo Cai,Xiaobao Xu,Jian Wang,He Ma,Xuechao Yu,Guoliang Yuan,Yousheng Zou,Jizhong Song,Haibo Zeng
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:29 (13) 被引量:63
标识
DOI:10.1002/adfm.201807922
摘要

Abstract Structure reorganization within perovskite materials has attracted much attention due to its assisted appealing features in optoelectronic devices, such as achieving continue‐wave laser and performance enhancement in photovoltaic devices. Unfortunately, the difficulty of controlling reorganization processing and unclear underlying mechanisms impose an impediment for taking advantage of the structural reorganization in pursuit of distinctive functions in perovskite‐based devices. In this work, using above‐bandgap illumination with a small energy threshold (1.6 mW cm −2 ) triggering phase transition from orthorhombic to tetragonal in CsPbBr 3 is first reported. This photon‐induced structure reorganization is reversible and presents a fast and controllable response (<0.5 s) to light on/off. Raman spectroscopy and density functional theory calculations reveal that such a dynamic structure reorganization is caused by the transition of torsion direction in Pb–Br octahedral, while the diffusion potential difference induced local Coulombic field is proved to drive this process. The findings provide a deep understanding for universal structure reorganization under irradiation in perovskite materials and encourage further study of the novel functions associated with structure reorganization inducing temporal behaviors in optoelectronic devices, for example variations in dielectric constant and band edge fluctuation induced Rashba effects, which show a significant influence on perovskite‐based optoelectronic devices.
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