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In situ silicon oxide based intermediate reflector for thin-film silicon micromorph solar cells

材料科学 太阳能电池 薄膜 光电子学 反射器(摄影) 单晶硅 光学 纳米技术 物理 光源
作者
Peter Bühlmann,J. Bailat,D. Dominé,A. Billet,Fanny Meillaud,A. Feltrin,Christophe Ballif
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:91 (14) 被引量:226
标识
DOI:10.1063/1.2794423
摘要

We show that SiO-based intermediate reflectors (SOIRs) can be fabricated in the same reactor and with the same process gases as used for thin-film silicon solar cells. By varying input gas ratios, SOIR layers with a wide range of optical and electrical properties are obtained. The influence of the SOIR thickness in the micromorph cell is studied and current gain and losses are discussed. Initial micromorph cell efficiency of 12.2% (Voc=1.40V, fill factor=71.9%, and Jsc=12.1mA∕cm2) is achieved with top cell, SOIR, and bottom cell thicknesses of 270, 95, and 1800nm, respectively.
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