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作者
J.L. Titus,C.F. Wheatley,J.E. Gillberg,D.I. Burton
出处
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2001-12-01
卷期号：48 (6): 1879-1884
被引量：28
摘要
Experimental observations of an improved single-event gate rupture (SEGR) hardened stripe-cell MOSFET demonstrated that ion beam energy, penetration depth, and strike angle (tilt angle) have a significant influence upon the measured SEGR failure threshold voltage.
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