Impact of Wire RC Based on High Voltage SCAN Failure Analysis in 10nm Process

材料科学 电压 高压 过程(计算) 高电阻 生产线后端 电气工程 图层(电子) 光电子学 电子工程 工程类 计算机科学 复合材料 农学 生物 操作系统
作者
Ghil-Geun Oh,Kim Sijeong,Kyeongju Jin,Shin Young Jung,Brandon Lee
标识
DOI:10.1109/ipfa.2018.8452614
摘要

SCAN failure analysis that occurred only in the high voltage region was analyzed through in-circuit probing using laser voltage probing (LVP) technique in 10nm process. LVP results provided that high wire resistance of 4th metal layer had lead hold violation between launch and capture clock paths. This implies the importance of Back-End-Of-Line (BEOL) information that is monitored in mass production and design phase in high scaled process.
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