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作者
Akihiro Matsutani,Fumio Koyama,Kenichi Iga
标识
DOI:10.1109/leos.1998.737848
摘要
We report on anisotropic and smooth etching of InP by low bias voltage ICP using SiCl/sub 4/-Ar at high substrate temperature. We used an inductively coupled plasma (ICP) scanning electron microscope (SEM) photograph of circular array patterns of InP. The etching mask was a negative-type electron beam resist SAL601.
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