New laser slicing technology named KABRA process enables high speed and high efficiency SiC slicing

切片 薄脆饼 吞吐量 过程(计算) 计算机科学 工艺工程 激光器 材料科学 工程类 光电子学 光学 电信 操作系统 物理 万维网 无线
作者
Kazuya Hirata
标识
DOI:10.1117/12.2291458
摘要

SiC is highly anticipated as the material to be used in the next generation of power devices. However, due to its high rigidity, it is difficult to process, has a low throughput in the wafer production process, and has a high cost. In order to solve these issues, we have developed the KABRA process – a new wafer-production process which uses laser processing technology – and have devised fully-automatic equipment called “KABRA!zen,” which enables the mass production of SiC wafers. KABRA!zen achieves approximately twice the throughput and one-third the material loss of the conventional processes.
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