Calculation-tunable electronic and optical properties of an InS/GaTe heterojunction based on first principles

化学 异质结 光电子学 电场 拉伤 物理 量子力学 医学 内科学
作者
Mengya Li,Kanghao Liang,Wei Xing,Yan Zhang,Huaxin Chen,Yun Yang,Jian Liu,Ye Tian,Ziyuan Li,Li Duan
出处
期刊:New Journal of Chemistry [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:48 (34): 14970-14983
标识
DOI:10.1039/d4nj01047g
摘要

The InS/GaTe heterojunction is a typical direct Z-scheme heterojunction, which can change its electronic and optical properties under strain and electric fields.
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