DL-RSIM

神经形态工程学 记忆电阻器 计算机科学 可靠性(半导体) 卷积神经网络 人工神经网络 深度学习 横杆开关 推论 人工智能 计算 计算机工程 集合(抽象数据类型) 计算机体系结构 电子工程 算法 工程类 物理 电信 量子力学 功率(物理) 程序设计语言
作者
Meng-Yao Lin,Hsiang-Yun Cheng,Wei‐Ting Lin,Tung‐Han Yang,I‐Hsiang Tseng,Chia-Lin Yang,Hanwen Hu,Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li,Meng‐Fan Chang
标识
DOI:10.1145/3240765.3240800
摘要

Memristor-based deep learning accelerators provide a promising solution to improve the energy efficiency of neuromorphic computing systems. However, the electrical properties and crossbar structure of memristors make these accelerators error-prone. To enable reliable memristor-based accelerators, a simulation platform is needed to precisely analyze the impact of non-ideal circuit and device properties on the inference accuracy. In this paper, we propose a flexible simulation framework, DL-RSIM, to tackle this challenge. DL-RSIM simulates the error rates of every sum-of-products computation in the memristor-based accelerator and injects the errors in the targeted TensorFlow-based neural network model. A rich set of reliability impact factors are explored by DL-RSIM, and it can be incorporated with any deep learning neural network implemented by TensorFlow. Using three representative convolutional neural networks as case studies, we show that DL-RSIM can guide chip designers to choose a reliability-friendly design option and develop reliability optimization techniques.

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