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Fast lithographic mask optimization considering process variation

工艺变化 进程窗口 光学接近校正 平版印刷术 计算机科学 过程(计算) GSM演进的增强数据速率 灵敏度(控制系统) 趋同(经济学) 电子工程 材料科学 光电子学 工程类 人工智能 经济 经济增长 操作系统
作者
Yu-Hsuan Su,Yu-Chen Huang,Liang-Chun Tsai,Yao‐Wen Chang,Shayak Banerjee
出处
期刊:International Conference on Computer Aided Design 卷期号:: 230-237 被引量:5
标识
DOI:10.5555/2691365.2691413
摘要

As nanometer technology advances, conventional OPC (Optical Proximity Correction) that minimizes the EPE (Edge Placement Error) at the nominal corner alone often leads to poor process window. To improve the mask printability across various process corners, process-window OPC optimizes EPE for multiple process corners, but often suffers long runtime, due to repeated lithographic simulations. This paper presents an efficient process-variation-aware mask optimization framework, namely PVOPC (Process-Variation OPC), to simultaneously minimize EPE and PV (Process-Variation) band with fast convergence. The PVOPC framework includes EPE-sensitivity-driven dynamic fragmentation, process-variation-aware EPE modeling, and post correction with three new EPE-converging techniques and a systematic sub-resolution assisted feature insertion algorithm. Experimental results show that our approach efficiently achieves high-quality EPE and PV band results.
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