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Comparison of thermal and atomic-layer-deposited oxides on 4H-SiC after post-oxidation-annealing in nitric oxide

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作者
Changhyun Kim,Jeong Hyun Moon,Jeong Hyuk Yim,Do Hyun Lee,Jong-Ho Lee,Hun Hee Lee,Hyeong Joon Kim
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:100 (8) 被引量:23
标识
DOI:10.1063/1.3689766
摘要

The electrical properties of thermally grown and atomic-layer-deposition (ALD) oxides, followed by nitridation treatment, on 4H-SiC substrate were compared. The nitridation treatment was performed with post oxidation annealing in NO atmosphere (NO POA). The best electrical characteristics of the thermally grown and ALD oxides were observed at 120 and 180 min NO POA, respectively. The NO POA treated ALD oxide showed extremely low interface trap density (Dit), less than 1011 eV−1 cm−1. A metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with the ALD oxide showed high field effect mobility, especially in the high electric field region. The reasons for these superior results were also discussed.
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