Solar blind deep ultraviolet β-Ga2O3photodetectors grown on sapphire by the Mist-CVD method

光电探测器 材料科学 紫外线 蓝宝石 光电子学 化学气相沉积 光学 激光器 物理 气象学
作者
Yu Xu,Zhiyuan An,Lixin Zhang,Qian Feng,Jincheng Zhang,Chunfu Zhang,Yue Hao
出处
期刊:Optical Materials Express [Optica Publishing Group]
卷期号:8 (9): 2941-2941 被引量:89
标识
DOI:10.1364/ome.8.002941
摘要

In this report, we demonstrate high spectral responsivity (SR) solar blind deep ultraviolet (UV) β-Ga2O3 metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors grown by the mist chemical-vapor deposition (Mist-CVD) method. The β-Ga2O3 thin film was grown on c-plane sapphire substrates, and the fabricated MSM PDs with Al contacts in an interdigitated geometry were found to exhibit peak SR>150A/W for the incident light wavelength of 254 nm at a bias of 20 V. The devices exhibited very low dark current, about 14 pA at 20 V, and showed sharp transients with a photo-to-dark current ratio>105. The corresponding external quantum efficiency is over 7 × 104%. The excellent deep UV β-Ga2O3 photodetectors will enable significant advancements for the next-generation photodetection applications.
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