Transparent InP Quantum Dot Light‐Emitting Diodes with ZrO2 Electron Transport Layer and Indium Zinc Oxide Top Electrode

材料科学 光电子学 量子点 电极 图层(电子) 二极管 阳极 半导体 发光二极管 纳米技术 物理化学 化学
作者
Hee Yeon Kim,Yu Jin Park,Jiwan Kim,Chul Jong Han,Jeongno Lee,Yohan Kim,Tonino Greco,Christian Ippen,Armin Wedel,Byeong‐Kwon Ju,Min Suk Oh
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:26 (20): 3454-3461 被引量:87
标识
DOI:10.1002/adfm.201505549
摘要

Because of outstanding optical properties and non‐vacuum solution processability of colloidal quantum dot (QD) semiconductors, many researchers have developed various light emitting diodes (LEDs) using QD materials. Until now, the Cd‐based QD‐LEDs have shown excellent properties, but the eco‐friendly QD semiconductors have attracted many attentions due to the environmental regulation. And, since there are many issues about the reliability of conventional QD‐LEDs with organic charge transport layers, a stable charge transport layer in various conditions must be developed for this reason. This study proposes the organic/inorganic hybrid QD‐LEDs with Cd‐free InP QDs as light emitting layer and inorganic ZrO 2 nanoparticles as electron transport layer. The QD‐LED with bottom emission structure shows the luminescence of 530 cd m −2 and the current efficiency of 1 cd/A. To realize the transparent QD‐LED display, the two‐step sputtering process of indium zinc oxide (IZO) top electrode is applied to the devices and this study could fabricate the transparent QD‐LED device with the transmittance of more than 74% for whole device array. And when the IZO top electrode with high work‐function is applied to top transparent anode, the device could maintain the current efficiency within the driving voltage range without well‐known roll‐off phenomenon in QD‐LED devices.
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