自旋电子学
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作者
T. Wu,Yin‐Song Liao,Jui‐Cheng Kao,Jyh‐Pin Chou
摘要
Single atom decoration can modify the electronic properties, making TaSi 2 N 4 suitable for spintronics and turning VSi 2 N 4 into a half-metal semiconductor. These findings have potential applications in advanced electronic devices.
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