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haisikejia
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2021-04-24 加入
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Total ionizing dose radiation hardening technology based on double-charge multiple-step ion implantation
2个月前
已关闭
Investigation on Transient Ionizing Radiation Effects in a 4-Mb SRAM With Dual Supply Voltages
7个月前
已完结
Transient ionizing radiation effects in devices and circuits
7个月前
已完结
抗辐射加固32位SPARC处理器瞬时剂量率仿真与试验研究
7个月前
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Impact of total ionizing dose on the alpha-soft error rate in FDSOI 28 nm SRAMs
11个月前
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基于UTBB-FDSOI器件的单粒子和总剂量效应及耦合机理研究
1年前
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Characterization of Single Event Upsets of Nanoscale FDSOI Circuits Based on the Simulation and Irradiation Results
1年前
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Total Ionizing Dose Response of a 22-nm Compiled Fully Depleted Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory
1年前
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不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应
1年前
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Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET
1年前
已完结
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2个月前
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7个月前
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7个月前
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7个月前
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11个月前
标题错误,与求助文章不符
11个月前
不是这篇文章吧?文章标题都不一致
11个月前
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1年前
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1年前
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1年前
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