标题 |
Total ionizing dose radiation hardening technology based on double-charge multiple-step ion implantation
基于双电荷多步离子注入的总电离剂量辐射硬化技术
相关领域
CMOS芯片
材料科学
光电子学
晶体管
绝缘体上的硅
阈值电压
吸收剂量
辐射硬化
离子注入
薄脆饼
辐照
辐射
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泄漏(经济)
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