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 Hu J, Li H, Chen A, et al. All-2D-Materials Subthreshold-Free Field-Effect Transistor with Near-Ideal Switching Slope[J]. ACS nano, 2024, 18(31): 20236-20246 胡军，李宏，陈阿，等。具有接近理想开关斜率的全二维材料无亚阈值场效应晶体管[J]。ACS纳米，2024，18（31）：20236-20246
相关领域
阈下斜率
理想（伦理）
材料科学
阈下传导
晶体管
场效应晶体管
凝聚态物理
光电子学
纳米技术
物理
电压
量子力学
哲学
认识论
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